参数指标： 纯度：>99%， 总含氧量：<0.8% n含量：33.5% 金属杂质含量：200ppm d50: 50nm 比表面积：58.94m2/g 保存期: 干燥环境下保存二年 性能：氮化体纯度高，分布均匀、良好的注射成形性能；具有较高的高温强度及较高的热导系数，具有良好的绝缘性、耐高温、耐腐蚀等特性，较低的介电常数及介电损耗，热膨胀接近于硅，具有较好的机械加工性等。是一种具有广泛应用前途的高导热陶瓷材料。是半导体、功率模快、电子封装、大规模集成电路基片，导电蒸发舟等电子材料领域的重要材料。可以用其制作坩埚和浇筑模具等结构材料。 主要用途： 1）用作大功率半导体器件的绝缘基片、大规模和超大规模集成电路的散热基片、锂电池内部的隔板材料、切削工具、封装材料、高温润滑剂、热散板及粘结剂等。 2)制造集成电路基板、电子器件、光学器件、散热器、高温坩锅；制备金属基及高分子基复合材料，特别是在高温密封胶粘剂和电子封装材料中有的应用前景。 3）导热填料：如金属、陶瓷及石墨基复合材料，橡胶、塑胶、涂料、胶粘剂及其它高分子基复合材料。